货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥443.724701 | ¥443.72 |
10 | ¥413.964096 | ¥4139.64 |
100 | ¥359.426241 | ¥35942.62 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | Polar P3™ |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 3000 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 21 欧姆 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 73 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1890 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 520W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 155°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TO-268HV(IXTT) |
封装/外壳: | TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA |
标准包装: | 30 |
IXTT2N300P3HV
型号:IXTT2N300P3HV
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 3000V 2A TO268
库存:0
单价:
1+: | ¥443.724701 |
10+: | ¥413.964096 |
100+: | ¥359.426241 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥443.72