货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
50 | ¥62.575122 | ¥3128.76 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | Advanced Linear Devices |
系列: | EPAD® |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | 2 N 沟道(双)配对 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 10V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | - |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 500 欧姆 @ 5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.01V @ 1µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | - |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2.5pF @ 5V |
功率 - 最大值: | 600mW |
工作温度: | 0°C ~ 70°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
标准包装: | 50 |
ALD1110ESAL
型号:ALD1110ESAL
品牌:Advanced Linear Devices
描述:MOSFET 2N-CH 10V 8SOIC
库存:0
单价:
50+: | ¥62.575122 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00