货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥8.691065 | ¥8.69 |
10 | ¥7.772225 | ¥77.72 |
100 | ¥6.0595 | ¥605.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Nexperia(安世) |
系列: | - |
包装: | 管件 |
零件状态: | 停产 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 32A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.15V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 10.7 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 552 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 47W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | I2PAK |
封装/外壳: | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
标准包装: | 50 |
PSMN017-30EL,127
型号:PSMN017-30EL,127
品牌:Nexperia安世
描述:MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK
库存:0
单价:
1+: | ¥8.691065 |
10+: | ¥7.772225 |
100+: | ¥6.0595 |
500+: | ¥5.005357 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥8.69