库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1500 | ￥6.907694 | ￥10361.54 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 800 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.4 欧姆 @ 1.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3.5V @ 700µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| FET 功能: | 超级结 |
| 功率耗散（最大值）: | 32W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | PG-TO251-3-11 |
| 封装/外壳: | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装: | 1,500 |
IPS80R1K4P7AKMA1
型号：IPS80R1K4P7AKMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 800V 4A TO251-3
库存：0
单价：
| 1500+： | ￥6.907694 |
货期：1-2天
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