SI4900DY-T1-GE3

制造商编号:
SI4900DY-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
规格说明书:
SI4900DY-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 12.508171 12.51
10 11.152912 111.53
100 8.696785 869.68

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 58 毫欧 @ 4.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 665pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.1W
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SOIC
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
FW297-TL-2W onsemi ¥3.10448 类似

客服

购物车

SI4900DY-T1-GE3

型号:SI4900DY-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

库存:0

单价:

1+: ¥12.508171
10+: ¥11.152912
100+: ¥8.696785
500+: ¥7.184316
1000+: ¥5.671834
2500+: ¥5.671834

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥12.51