货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥20.428356 | ¥20.43 |
10 | ¥18.371843 | ¥183.72 |
100 | ¥14.765859 | ¥1476.59 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
---|---|
制造商: | EPC |
系列: | eGaN® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | GaNFET(氮化镓) |
漏源电压(Vdss): | 100 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 30 毫欧 @ 6A,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1.2mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 2.2 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | +6V,-4V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 220 pF @ 50 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 模具剖面(5 焊条) |
封装/外壳: | 模具 |
标准包装: | 2,500 |
EPC2007C
型号:EPC2007C
品牌:EPC
描述:GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
库存:0
单价:
1+: | ¥20.428356 |
10+: | ¥18.371843 |
100+: | ¥14.765859 |
500+: | ¥12.131434 |
1000+: | ¥10.051758 |
2500+: | ¥9.453069 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥20.43