VS-8EWS10S-M3

制造商编号:
VS-8EWS10S-M3
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
规格说明书:
VS-8EWS10S-M3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
3000 4.726721 14180.16

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 8 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 50 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装: D-PAK(TO-252AA)
工作温度 - 结: -55°C ~ 150°C
标准包装: 3,000

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VS-8EWS10S-M3

型号:VS-8EWS10S-M3

品牌:Vishay威世

描述:DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK

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