货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥58.537248 | ¥58.54 |
10 | ¥52.566647 | ¥525.67 |
100 | ¥43.069513 | ¥4306.95 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Infineon(英飞凌) |
系列: | CoolMOS™ P7 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 650 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 33A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 105 毫欧 @ 10.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V @ 530µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 45 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1952 pF @ 400 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 137W(Tc) |
工作温度: | -40°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-VSON-4 |
封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
标准包装: | 3,000 |
IPL60R105P7AUMA1
型号:IPL60R105P7AUMA1
品牌:Infineon英飞凌
描述:MOSFET N-CH 650V 33A 4VSON
库存:0
单价:
1+: | ¥58.537248 |
10+: | ¥52.566647 |
100+: | ¥43.069513 |
500+: | ¥36.811101 |
3000+: | ¥36.811113 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥58.54