货期: 国内(1~2天)
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥2.859721 | ¥2.86 |
10 | ¥2.368595 | ¥23.69 |
100 | ¥1.257531 | ¥125.75 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 50 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 360mA(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 2 欧姆 @ 270mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.5V @ 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 1.2 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 45.8 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 320mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SOT-323 |
封装/外壳: | SC-70,SOT-323 |
标准包装: | 3,000 |
DMN53D0LW-7
型号:DMN53D0LW-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 50V 360MA SOT323
库存:152024
单价:
1+: | ¥2.859721 |
10+: | ¥2.368595 |
100+: | ¥1.257531 |
500+: | ¥0.827106 |
1000+: | ¥0.562408 |
3000+: | ¥0.507315 |
6000+: | ¥0.441143 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥2.86