货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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3000 | ¥2.03177 | ¥6095.31 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 2.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 50 毫欧 @ 4A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1.3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 25.1 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1326 pF @ 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 800mW |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | SC-59-3 |
封装/外壳: | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装: | 3,000 |
DMG3401LSNQ-7
型号:DMG3401LSNQ-7
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET P-CH 30V 3A SC59-3
库存:0
单价:
3000+: | ¥2.03177 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00