APTGT200A60TG

制造商编号:
APTGT200A60TG
制造商:
Microsemi美高森美
描述:
IGBT MODULE 600V 290A 625W SP4
规格说明书:
APTGT200A60TG说明书

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货期: 8周-10周

封装: 散装

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规格参数

属性 参数值
制造商: Microsemi(美高森美)
系列: -
包装: 散装
零件状态: Digi-Key 停止提供
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 半桥
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 290 A
功率 - 最大值: 625 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.9V @ 15V,200A
电流 - 集电极截止(最大值): 250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 12.3 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SP4
供应商器件封装: SP4
标准包装: 1

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APTGT200A60TG

型号:APTGT200A60TG

品牌:Microsemi美高森美

描述:IGBT MODULE 600V 290A 625W SP4

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