SQP120N06-3M5L_GE3

制造商编号:
SQP120N06-3M5L_GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
规格说明书:
SQP120N06-3M5L_GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 剪切带(CT)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 37.034051 37.03
10 33.274793 332.75
100 27.264539 2726.45

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装: 剪切带(CT)
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.5 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 330 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 14700 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220AB
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 500

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SQP120N06-3M5L_GE3

型号:SQP120N06-3M5L_GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB

库存:0

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1+: ¥37.034051
10+: ¥33.274793
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