库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥9.26301 | ￥9.26 |
| 10 | ￥8.163882 | ￥81.64 |
| 100 | ￥6.260924 | ￥626.09 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ON(安森美) |
| 系列: | Automotive, AEC-Q101 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 10.1A（Ta），22.1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 17 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10.3 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 500 pF @ 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3W（Ta），14.3W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-WDFN（3.3x3.3） |
| 封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
| 标准包装: | 1,500 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| DMN3018SFG-7 | Diodes Incorporated | ¥3.69000 | 类似 |
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | ¥5.68000 | 类似 |
| DMN3018SFG-13 | Diodes Incorporated | ¥4.22000 | 类似 |
NVTFS4C25NTAG
型号：NVTFS4C25NTAG
品牌：ON安森美
描述：MOSFET N-CH 30V 10.1A/22.1A 8DFN
库存：0
单价：
| 1+： | ￥9.26301 |
| 10+： | ￥8.163882 |
| 100+： | ￥6.260924 |
| 500+： | ￥4.949207 |
| 1500+： | ￥3.959334 |
| 3000+： | ￥3.936866 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥9.26