STD3NK60Z-1

制造商编号:
STD3NK60Z-1
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK
规格说明书:
STD3NK60Z-1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 10.406898 10.41
10 9.261766 92.62
100 7.220671 722.07

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH™
包装: 管件
零件状态: 不适用于新设计
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.4A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 11.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 311 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 75

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
STU6N60M2 STMicroelectronics ¥11.67000 直接

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STD3NK60Z-1

型号:STD3NK60Z-1

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK

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1+: ¥10.406898
10+: ¥9.261766
100+: ¥7.220671
500+: ¥5.96498
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