库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥40.2972 | ￥40.30 |
| 10 | ￥36.150605 | ￥361.51 |
| 100 | ￥29.616764 | ￥2961.68 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | MDmesh™ II |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 16A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 220 毫欧 @ 8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 44 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1300 pF @ 50 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| FCP11N60N | onsemi | ¥25.65000 | 类似 |
| IPP60R190C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
| IPP60R190E6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥32.56000 | 类似 |
| IPP60R250CPXKSA1 | Infineon Technologies | ¥34.40000 | 类似 |
| IPP60R280C6XKSA1 | Infineon Technologies | ¥25.11000 | 类似 |
STP22NM60N
型号：STP22NM60N
品牌：ST意法半导体
描述：MOSFET N-CH 600V 16A TO220AB
库存：0
单价：
| 1+： | ￥40.2972 |
| 10+： | ￥36.150605 |
| 100+： | ￥29.616764 |
| 500+： | ￥25.211997 |
| 1000+： | ￥24.162604 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥40.30