FDD5680

制造商编号:
FDD5680
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252
规格说明书:
FDD5680说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 13.850997 13.85
10 12.346535 123.47
100 9.626816 962.68

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: PowerTrench®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 21 毫欧 @ 8.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 46 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1835 pF @ 30 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.8W(Ta),60W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
AOD442 Alpha & Omega Semiconductor Inc. ¥6.14000 类似
TSM170N06CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation ¥17.89000 类似

客服

购物车

FDD5680

型号:FDD5680

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 60V 8.5A TO252

库存:0

单价:

1+: ¥13.850997
10+: ¥12.346535
100+: ¥9.626816
500+: ¥7.952611
1000+: ¥6.658972
2500+: ¥6.658923

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥13.85