货期: 8周-10周
封装: 散装
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥15.22853 | ¥15.23 |
10 | ¥13.603089 | ¥136.03 |
100 | ¥10.604232 | ¥1060.42 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Diodes(美台) |
系列: | - |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.1A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 330 毫欧 @ 3A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 1mA |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 350 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 850mW(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-92 |
封装/外壳: | TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA) |
标准包装: | 4,000 |
ZVN4306AV
型号:ZVN4306AV
品牌:Diodes美台
描述:MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3
库存:0
单价:
1+: | ¥15.22853 |
10+: | ¥13.603089 |
100+: | ¥10.604232 |
500+: | ¥8.759847 |
1000+: | ¥6.915622 |
2000+: | ¥6.45456 |
5000+: | ¥6.286932 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥15.23