A2C50S65M2-F

制造商编号:
A2C50S65M2-F
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2
规格说明书:
A2C50S65M2-F说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 托盘

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 620.984329 620.98

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 托盘
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
配置: 三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 50 A
功率 - 最大值: 208 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.3V @ 15V,50A
电流 - 集电极截止(最大值): 100 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 4.15 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: 模块
供应商器件封装: ACEPACK™ 2
标准包装: 18

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A2C50S65M2-F

型号:A2C50S65M2-F

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT MOD 650V 50A 208W ACEPACK2

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