R6020ANZFL1C8

制造商编号:
R6020ANZFL1C8
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 600V 20A TO3
规格说明书:
R6020ANZFL1C8说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

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规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 20A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 220 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.15V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 65 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2040 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 120W(Tc)
工作温度: 150°C
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-3PF
封装/外壳: TO-3P-3 整包
标准包装: 30

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R6020ANZFL1C8

型号:R6020ANZFL1C8

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO3

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