NTRV4101PT1G

制造商编号:
NTRV4101PT1G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
规格说明书:
NTRV4101PT1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 6.589792 6.59
10 5.605053 56.05
100 4.187999 418.80

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 1.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.8V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 675 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 420mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23-3(TO-236)
封装/外壳: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
DMP2160U-7 Diodes Incorporated ¥3.84000 类似

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NTRV4101PT1G

型号:NTRV4101PT1G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3

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1+: ¥6.589792
10+: ¥5.605053
100+: ¥4.187999
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