库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥114.327958 | ￥114.33 |
| 10 | ￥105.071155 | ￥1050.71 |
| 100 | ￥89.881495 | ￥8988.15 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | ST(意法半导体) |
| 系列: | M |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 160 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 360 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.15V @ 15V，120A |
| 功率 - 最大值: | 625 W |
| 开关能量: | 1.8mJ（开），4.41mJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 420 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 66ns/185ns |
| 测试条件: | 400V，120A，4.7 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 202 ns |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | MAX247™ |
| 标准包装: | 600 |
STGYA120M65DF2AG
型号：STGYA120M65DF2AG
品牌：ST意法半导体
描述：IGBT
库存：0
单价：
| 1+： | ￥114.327958 |
| 10+： | ￥105.071155 |
| 100+： | ￥89.881495 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥114.33