APT100GN60B2G

制造商编号:
APT100GN60B2G
制造商:
Microchip微芯
描述:
IGBT 600V 229A 625W TMAX
规格说明书:
APT100GN60B2G说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
60 83.603978 5016.24

规格参数

属性 参数值
制造商: Microchip(微芯)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 229 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.85V @ 15V,100A
功率 - 最大值: 625 W
开关能量: 4.7mJ(开),2.675mJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 600 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 31ns/310ns
测试条件: 400V,100A,1 欧姆,15V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3 变式
标准包装: 1

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APT100GN60B2G

型号:APT100GN60B2G

品牌:Microchip微芯

描述:IGBT 600V 229A 625W TMAX

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