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货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolSiC™+ |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 零件状态: | Digi-Key 停止提供 |
| 二极管类型: | 碳化硅肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: | 650 V |
| 电流 - 平均整流 (Io): | 2A（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 1.7 V @ 2 A |
| 速度: | 无恢复时间 > 500mA（Io） |
| 反向恢复时间 (trr): | 0 ns |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 35 µA @ 650 V |
| 不同 Vr、F 时电容: | 70pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 4-PowerTSFN |
| 供应商器件封装: | PG-VSON-4 |
| 工作温度 - 结: | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装: | 3,000 |
IDL02G65C5XUMA1
型号：IDL02G65C5XUMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：DIODE SCHOTTKY 650V 2A VSON-4
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