IXTL2X180N10T

制造商编号:
IXTL2X180N10T
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK
规格说明书:
IXTL2X180N10T说明书

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货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
25 177.057021 4426.43

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: Trench
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 7.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 151nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6900pF @ 25V
功率 - 最大值: 150W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: ISOPLUSi5-Pak™
供应商器件封装: ISOPLUSi5-Pak™
标准包装: 25

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IXTL2X180N10T

型号:IXTL2X180N10T

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK

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