TSM60NB099PW C1G

制造商编号:
TSM60NB099PW C1G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247
规格说明书:
TSM60NB099PW C1G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 151.925792 151.93
10 139.605367 1396.05
100 117.903441 11790.34

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 38A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 99 毫欧 @ 11.7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 62 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2587 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 329W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-247
封装/外壳: TO-247-3
标准包装: 600

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TSM60NB099PW C1G

型号:TSM60NB099PW C1G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

库存:0

单价:

1+: ¥151.925792
10+: ¥139.605367
100+: ¥117.903441
500+: ¥104.883504
1000+: ¥98.636593

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥151.93