货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥17.599438 | ¥17.60 |
10 | ¥15.808718 | ¥158.09 |
100 | ¥12.707729 | ¥1270.77 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | ST(意法半导体) |
系列: | MDmesh™ DM2 |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 500 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 350 毫欧 @ 5.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 16 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±25V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 628 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 110W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | DPAK |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
标准包装: | 2,500 |
STD12N50DM2
型号:STD12N50DM2
品牌:ST意法半导体
描述:MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
库存:0
单价:
1+: | ¥17.599438 |
10+: | ¥15.808718 |
100+: | ¥12.707729 |
500+: | ¥10.440753 |
1000+: | ¥9.491671 |
2500+: | ¥9.49166 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥17.60