DMT3006LDK-7

制造商编号:
DMT3006LDK-7
制造商:
Diodes美台
描述:
MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
规格说明书:
DMT3006LDK-7说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.873959 4.87
10 4.191356 41.91
100 3.129032 312.90

规格参数

属性 参数值
制造商: Diodes(美台)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 17.1A(Ta),46.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 @ 12A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 22.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1320 pF @ 15 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: V-DFN3030-8
封装/外壳: 8-PowerVDFN
标准包装: 3,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
NTTFS4939NTAG onsemi ¥1.59275 类似
NTTFS4C10NTWG onsemi ¥5.07000 类似

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DMT3006LDK-7

型号:DMT3006LDK-7

品牌:Diodes美台

描述:MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN

库存:0

单价:

1+: ¥4.873959
10+: ¥4.191356
100+: ¥3.129032
500+: ¥2.458564
1000+: ¥1.899874
3000+: ¥1.732233
6000+: ¥1.620467

货期:1-2天

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