STGP5H60DF

制造商编号:
STGP5H60DF
制造商:
ST意法半导体
描述:
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
规格说明书:
STGP5H60DF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.56683 15.57
10 13.950466 139.50
100 10.875768 1087.58

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 10 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 20 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.95V @ 15V,5A
功率 - 最大值: 88 W
开关能量: 56µJ(开),78.5µJ(关)
输入类型: 标准
栅极电荷: 43 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 30ns/140ns
测试条件: 400V,5A,47 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 134.5 ns
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商器件封装: TO-220
标准包装: 50

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STGP5H60DF

型号:STGP5H60DF

品牌:ST意法半导体

描述:TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S

库存:0

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1+: ¥15.56683
10+: ¥13.950466
100+: ¥10.875768
500+: ¥8.984423
1000+: ¥7.52282

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