库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥76.578358 | ￥76.58 |
| 10 | ￥69.191574 | ￥691.92 |
| 2000 | ￥53.634417 | ￥107268.83 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Infineon(英飞凌) |
| 系列: | CoolMOS™ C7 |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 最后售卖 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 650 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 24A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 105 毫欧 @ 8.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V @ 440µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 35 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1670 pF @ 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 156W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-HSOF-8-2 |
| 封装/外壳: | 8-PowerSFN |
| 标准包装: | 2,000 |
IPT65R105G7XTMA1
型号：IPT65R105G7XTMA1
品牌：Infineon英飞凌
描述：MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
库存：0
单价：
| 1+： | ￥76.578358 |
| 10+： | ￥69.191574 |
| 2000+： | ￥53.634417 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥76.58