FDP12N60NZ

制造商编号:
FDP12N60NZ
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3
规格说明书:
FDP12N60NZ说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 22.91507 22.92
10 20.548961 205.49
100 16.513273 1651.33

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: UniFET-II™
包装: 管件
零件状态: 最后售卖
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 650 毫欧 @ 6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1676 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 240W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220-3
封装/外壳: TO-220-3
标准包装: 1,000

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FDP12N60NZ

型号:FDP12N60NZ

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 600V 12A TO220-3

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