库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 散装
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥725.312306 | ￥725.31 |
| 10 | ￥689.052286 | ￥6890.52 |
| 100 | ￥641.496243 | ￥64149.62 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | - |
| 包装: | 散装 |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | NPT |
| 配置: | 半桥 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 135 A |
| 功率 - 最大值: | 560 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V @ 15V，75A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 5 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 5.5 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -40°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | Y4-M5 |
| 供应商器件封装: | Y4-M5 |
| 标准包装: | 6 |
MII100-12A3
型号：MII100-12A3
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
库存：0
单价：
| 1+： | ￥725.312306 |
| 10+： | ￥689.052286 |
| 100+： | ￥641.496243 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥725.31