STS8DN6LF6AG

制造商编号:
STS8DN6LF6AG
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO
规格说明书:
STS8DN6LF6AG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.752865 15.75
10 14.059033 140.59
100 10.963173 1096.32

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: Automotive, AEC-Q101, STripFET™ F6
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平门
漏源电压(Vdss): 60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 24 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 27nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 1340pF @ 25V
功率 - 最大值: 3.2W
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装: 8-SO
标准包装: 2,500

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STS8DN6LF6AG

型号:STS8DN6LF6AG

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET 2 N-CHANNEL 60V 8A 8SO

库存:0

单价:

1+: ¥15.752865
10+: ¥14.059033
100+: ¥10.963173
500+: ¥9.056256
1000+: ¥7.582919
2500+: ¥7.582896

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