R8002ANX

制造商编号:
R8002ANX
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
规格说明书:
R8002ANX说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 散装

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 28.547477 28.55
10 25.609424 256.09
100 20.582905 2058.29

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 散装
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 4.3 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.7 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 210 pF @ 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 35W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-220FM
封装/外壳: TO-220-3 整包
标准包装: 500

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R8002ANX

型号:R8002ANX

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM

库存:0

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1+: ¥28.547477
10+: ¥25.609424
100+: ¥20.582905

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