货期: 8周-10周
封装: 散装
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥28.547477 | ¥28.55 |
10 | ¥25.609424 | ¥256.09 |
100 | ¥20.582905 | ¥2058.29 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 散装 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 800 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 4.3 欧姆 @ 1A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 12.7 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 210 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 35W(Tc) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | TO-220FM |
封装/外壳: | TO-220-3 整包 |
标准包装: | 500 |
R8002ANX
型号:R8002ANX
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:MOSFET N-CH 800V 2A TO220FM
库存:0
单价:
1+: | ¥28.547477 |
10+: | ¥25.609424 |
100+: | ¥20.582905 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥28.55