MKE38RK600DFEL-TRR

制造商编号:
MKE38RK600DFEL-TRR
制造商:
IXYS艾赛斯
描述:
MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
规格说明书:
MKE38RK600DFEL-TRR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 269.360317 269.36
10 248.423368 2484.23
100 212.137521 21213.75

规格参数

属性 参数值
制造商: IXYS(艾赛斯)
系列: CoolMOS™
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 @ 44A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 6800 pF @ 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: ISOPLUS-SMPD™.B
封装/外壳: 9-SMD 模块
标准包装: 200

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MKE38RK600DFEL-TRR

型号:MKE38RK600DFEL-TRR

品牌:IXYS艾赛斯

描述:MOSFET N-CH 600V 50A SMPD

库存:0

单价:

1+: ¥269.360317
10+: ¥248.423368
100+: ¥212.137521
200+: ¥212.12863
400+: ¥202.359688

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥269.36