货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
---|---|---|
1 | ¥269.360317 | ¥269.36 |
10 | ¥248.423368 | ¥2484.23 |
100 | ¥212.137521 | ¥21213.75 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | CoolMOS™ |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 50A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 45 毫欧 @ 44A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V @ 3mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 190 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 6800 pF @ 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | - |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | ISOPLUS-SMPD™.B |
封装/外壳: | 9-SMD 模块 |
标准包装: | 200 |
MKE38RK600DFEL-TRR
型号:MKE38RK600DFEL-TRR
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 600V 50A SMPD
库存:0
单价:
1+: | ¥269.360317 |
10+: | ¥248.423368 |
100+: | ¥212.137521 |
200+: | ¥212.12863 |
400+: | ¥202.359688 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥269.36