货期: 8周-10周
封装: 管件
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥186.578151 | ¥186.58 |
10 | ¥171.501204 | ¥1715.01 |
100 | ¥144.844749 | ¥14484.47 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | IXYS(艾赛斯) |
系列: | HiPerFET™, Trench |
包装: | 管件 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 250 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 180A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 12.9 毫欧 @ 60A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5V @ 8mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 345 nC @ 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 28000 pF @ 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1390W(Tc) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PLUS247™-3 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
标准包装: | 30 |
IXFX180N25T
型号:IXFX180N25T
品牌:IXYS艾赛斯
描述:MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
库存:0
单价:
1+: | ¥186.578151 |
10+: | ¥171.501204 |
100+: | ¥144.844749 |
500+: | ¥128.849832 |
1000+: | ¥121.175372 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥186.58