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货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1+ ： 需询价 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | GenX3™ |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | PT |
| 配置: | 单路 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 200 A |
| 功率 - 最大值: | 595 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 1.35V @ 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 650 µA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 14.8 nF @ 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 无 |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 供应商器件封装: | SOT-227B |
| 标准包装: | 10 |
IXGN120N60A3D1
型号：IXGN120N60A3D1
品牌：IXYS艾赛斯
描述：IGBT MOD 600V 200A 595W SOT227B
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货期：1-2天
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