BZT52B5V6-G RHG

制造商编号:
BZT52B5V6-G RHG
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123
规格说明书:
BZT52B5V6-G RHG说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
6000 0.470573 2823.44

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR)
零件状态: 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz): 5.6 V
容差: ±2%
功率 - 最大值: 410 mW
阻抗(最大值)(Zzt): 40 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 1 µA @ 2 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 10 mA
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: SOD-123
标准包装: 3,000

客服

购物车

BZT52B5V6-G RHG

型号:BZT52B5V6-G RHG

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE ZENER 5.6V 410MW SOD123

库存:0

单价:

6000+: ¥0.470573

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00