SIZ342ADT-T1-GE3

制造商编号:
SIZ342ADT-T1-GE3
制造商:
Vishay威世
描述:
MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3
规格说明书:
SIZ342ADT-T1-GE3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 8.591597 8.59
10 7.543447 75.43
100 5.779745 577.97

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: TrenchFET® Gen IV
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 15.7A(Ta),33.4A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 9.4 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 12.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 580pF @ 15V
功率 - 最大值: 3.7W(Ta),16.7W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商器件封装: 8-Power33(3x3)
标准包装: 3,000

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SIZ342ADT-T1-GE3

型号:SIZ342ADT-T1-GE3

品牌:Vishay威世

描述:MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3 X 3

库存:0

单价:

1+: ¥8.591597
10+: ¥7.543447
100+: ¥5.779745
500+: ¥4.568964
1000+: ¥3.655159
3000+: ¥3.426692

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