库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 管件
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 50 | ￥36.994844 | ￥1849.74 |
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | IXYS(艾赛斯) |
| 系列: | HiPerFET™, Trench |
| 包装: | 管件 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 130A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9.1 毫欧 @ 25A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 104 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 5080 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 360W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 标准包装: | 50 |
替代型号
| 型号 | 品牌 | 参考价格 | 说明 |
|---|---|---|---|
| CSD19503KCS | Texas Instruments | ¥14.74000 | 类似 |
| SUP70090E-GE3 | Vishay Siliconix | ¥24.65000 | 类似 |
| IPP100N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | ¥17.36000 | 类似 |
| FDP100N10 | onsemi | ¥29.34000 | 类似 |
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | ¥14.51000 | 类似 |
IXFP130N10T
型号：IXFP130N10T
品牌：IXYS艾赛斯
描述：MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
库存：0
单价：
| 50+： | ￥36.994844 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00