NTNS3164NZT5G

制造商编号:
NTNS3164NZT5G
制造商:
ON安森美
描述:
MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883
规格说明书:
NTNS3164NZT5G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 3.916575 3.92
10 3.199158 31.99
100 2.177988 217.80

规格参数

属性 参数值
制造商: ON(安森美)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 361mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 700 毫欧 @ 200mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 0.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值): ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 24 pF @ 10 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 155mW(Ta)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
封装/外壳: 3-XFDFN
标准包装: 8,000

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
PMZB600UNELYL Nexperia USA Inc. ¥3.07000 类似

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NTNS3164NZT5G

型号:NTNS3164NZT5G

品牌:ON安森美

描述:MOSFET N-CH 20V 361MA SOT883

库存:0

单价:

1+: ¥3.916575
10+: ¥3.199158
100+: ¥2.177988
500+: ¥1.633572
1000+: ¥1.22508
2000+: ¥1.123012
8000+: ¥1.082802

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