RGT60TS65DGC11

制造商编号:
RGT60TS65DGC11
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
IGBT 650V 55A 194W TO-247N
规格说明书:
RGT60TS65DGC11说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 27.664402 27.66
10 24.843249 248.43
100 20.355962 2035.60

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: 沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值): 650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 55 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 90 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.1V @ 15V,30A
功率 - 最大值: 194 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: 58 nC
25°C 时 Td(开/关)值: 29ns/100ns
测试条件: 400V,30A,10 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr): 58 ns
工作温度: -40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-247-3
供应商器件封装: TO-247N
标准包装: 450

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RGT60TS65DGC11

型号:RGT60TS65DGC11

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:IGBT 650V 55A 194W TO-247N

库存:0

单价:

1+: ¥27.664402
10+: ¥24.843249
100+: ¥20.355962

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