- 制造商编号：
- TSM1NB60CW RPG
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor台湾积体电路
- 描述：
- MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
- 规格说明书：
- TSM1NB60CW RPG说明书
库存 ：0
货期： 8周-10周
封装： 卷带（TR）
定价（含税）
| 阶梯 | 单价 | 总价 |
|---|---|---|
| 1 | ￥15.280858 | ￥15.28 |
| 10 | ￥13.635896 | ￥136.36 |
| 100 | ￥10.629459 | ￥1062.95 |
更多价格 | ||
规格参数
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 制造商: | Taiwan Semiconductor(台湾积体电路) |
| 系列: | - |
| 包装: | 卷带（TR） 剪切带（CT） |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 10 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.1 nC @ 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 138 pF @ 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 39W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 标准包装: | 2,500 |
TSM1NB60CW RPG
型号：TSM1NB60CW RPG
品牌：Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述：MOSFET N-CHANNEL 600V 1A SOT223
库存：0
单价：
| 1+： | ￥15.280858 |
| 10+： | ￥13.635896 |
| 100+： | ￥10.629459 |
| 500+： | ￥8.780836 |
| 1000+： | ￥6.93225 |
| 2500+： | ￥6.470094 |
| 5000+： | ￥6.302042 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥15.28