货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥19.483404 | ¥19.48 |
10 | ¥17.512683 | ¥175.13 |
100 | ¥14.078904 | ¥1407.89 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Vishay(威世) |
系列: | TrenchFET® |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 8.7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14 毫欧 @ 10.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 55 nC @ 5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.5W(Ta) |
工作温度: | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装: | 2,500 |
SI4401BDY-T1-GE3
型号:SI4401BDY-T1-GE3
品牌:Vishay威世
描述:MOSFET P-CH 40V 8.7A 8SO
库存:0
单价:
1+: | ¥19.483404 |
10+: | ¥17.512683 |
100+: | ¥14.078904 |
500+: | ¥11.567572 |
1000+: | ¥9.915026 |
2500+: | ¥9.915076 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥19.48