HP8M51TB1

制造商编号:
HP8M51TB1
制造商:
Rohm Semiconductor罗姆
描述:
HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
规格说明书:
HP8M51TB1说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 18.465732 18.47
10 16.588383 165.88
100 13.331917 1333.19

规格参数

属性 参数值
制造商: Rohm Semiconductor(罗姆)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: N 和 P 沟道
FET 功能: 标准
漏源电压(Vdss): 100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.5A(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 170mOhm @ 4.5A,10V,290mOhm @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15nC @ 10V,26.2nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 600pF @ 50V,1430pF @ 50V
功率 - 最大值: 3W(Ta)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: 8-HSOP
标准包装: 2,500

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HP8M51TB1

型号:HP8M51TB1

品牌:Rohm Semiconductor罗姆

描述:HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A

库存:0

单价:

1+: ¥18.465732
10+: ¥16.588383
100+: ¥13.331917
500+: ¥10.953006
1000+: ¥9.075429
2500+: ¥8.534884

货期:1-2天

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单价:¥0.00总价:¥18.47