货期: 8周-10周
封装: 卷带(TR)
阶梯 | 单价 | 总价 |
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1 | ¥18.465732 | ¥18.47 |
10 | ¥16.588383 | ¥165.88 |
100 | ¥13.331917 | ¥1333.19 |
更多价格 |
属性 | 参数值 |
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制造商: | Rohm Semiconductor(罗姆) |
系列: | - |
包装: | 卷带(TR) 剪切带(CT) |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 和 P 沟道 |
FET 功能: | 标准 |
漏源电压(Vdss): | 100V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4.5A(Ta) |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 170mOhm @ 4.5A,10V,290mOhm @ 4.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V @ 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 15nC @ 10V,26.2nC @ 10V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 600pF @ 50V,1430pF @ 50V |
功率 - 最大值: | 3W(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | 8-PowerTDFN |
供应商器件封装: | 8-HSOP |
标准包装: | 2,500 |
HP8M51TB1
型号:HP8M51TB1
品牌:Rohm Semiconductor罗姆
描述:HP8M51TB1 IS LOW ON-RESISTANCE A
库存:0
单价:
1+: | ¥18.465732 |
10+: | ¥16.588383 |
100+: | ¥13.331917 |
500+: | ¥10.953006 |
1000+: | ¥9.075429 |
2500+: | ¥8.534884 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥18.47