SSM6N62TU,LF

制造商编号:
SSM6N62TU,LF
制造商:
Toshiba东芝
描述:
SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS
规格说明书:
SSM6N62TU,LF说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.202547 4.20
10 3.580868 35.81
100 2.676575 267.66

规格参数

属性 参数值
制造商: Toshiba(东芝)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
FET 类型: 2 N-通道(双)
FET 功能: 逻辑电平栅极,1.2V 驱动
漏源电压(Vdss): 20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 800mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 85 毫欧 @ 800mA,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 2nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 177pF @ 10V
功率 - 最大值: 500mW(Ta)
工作温度: 150°C
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 6-SMD,扁平引线
供应商器件封装: UF6
标准包装: 3,000

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SSM6N62TU,LF

型号:SSM6N62TU,LF

品牌:Toshiba东芝

描述:SMALL SIGNAL MOSFET N-CH X 2 VDS

库存:0

单价:

1+: ¥4.202547
10+: ¥3.580868
100+: ¥2.676575
500+: ¥2.102865
1000+: ¥1.624943
3000+: ¥1.481547
6000+: ¥1.385982

货期:1-2天

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