S1JL R3G

制造商编号:
S1JL R3G
制造商:
Taiwan Semiconductor台湾积体电路
描述:
DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA
规格说明书:
S1JL R3G说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 4.992587 4.99
10 4.044223 40.44
100 2.754814 275.48

规格参数

属性 参数值
制造商: Taiwan Semiconductor(台湾积体电路)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 600 V
电流 - 平均整流 (Io): 1A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.1 V @ 1 A
速度: 标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 1.8 µs
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 600 V
不同 Vr、F 时电容: 9pF @ 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C ~ 175°C
标准包装: 1,800

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S1JL R3G

型号:S1JL R3G

品牌:Taiwan Semiconductor台湾积体电路

描述:DIODE GEN PURP 600V 1A SUB SMA

库存:0

单价:

1+: ¥4.992587
10+: ¥4.044223
100+: ¥2.754814
500+: ¥2.066042
1800+: ¥1.549503
3600+: ¥1.42038
5400+: ¥1.334309
12600+: ¥1.248215
45000+: ¥1.173862

货期:1-2天

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