STU2N62K3

制造商编号:
STU2N62K3
制造商:
ST意法半导体
描述:
MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK
规格说明书:
STU2N62K3说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 15.95227 15.95
10 14.246385 142.46
100 11.107778 1110.78

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: SuperMESH3™
包装: 管件
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 620 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 2.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.6 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 15 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 340 pF @ 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 45W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251(IPAK)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
标准包装: 75

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
SPU02N60C3BKMA1 Infineon Technologies ¥12.83000 类似
FQU1N60CTU onsemi ¥6.14000 类似

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STU2N62K3

型号:STU2N62K3

品牌:ST意法半导体

描述:MOSFET N-CH 620V 2.2A IPAK

库存:0

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1+: ¥15.95227
10+: ¥14.246385
100+: ¥11.107778
500+: ¥9.175975
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