EPC2025

制造商编号:
EPC2025
制造商:
EPC
描述:
GANFET N-CH 300V 4A DIE
规格说明书:
EPC2025说明书

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货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

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规格参数

属性 参数值
制造商: EPC
系列: eGaN®
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 150 毫欧 @ 3A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值): +6V,-4V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 194 pF @ 240 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): -
工作温度: -40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: 模具
封装/外壳: 模具
标准包装: 1,000

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EPC2025

型号:EPC2025

品牌:EPC

描述:GANFET N-CH 300V 4A DIE

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