BAS386-TR

制造商编号:
BAS386-TR
制造商:
Vishay威世
描述:
DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF
规格说明书:
BAS386-TR说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 卷带(TR)

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1+ : 需询价

规格参数

属性 参数值
制造商: Vishay(威世)
系列: -
包装: 卷带(TR) 剪切带(CT)
零件状态: 在售
二极管类型: 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 50 V
电流 - 平均整流 (Io): 200mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 900 mV @ 100 mA
速度: 小信号 =< 200mA(Io),任意速度
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA @ 40 V
不同 Vr、F 时电容: 880pF @ 0V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 2-SMD,无引线
供应商器件封装: MicroMELF
工作温度 - 结: 125°C(最大)
标准包装: 2,500

替代型号

型号 品牌 参考价格 说明
BAS5202VH6327XTSA1 Infineon Technologies ¥3.69000 类似
BAS86,115 Nexperia USA Inc. ¥2.76000 类似

客服

购物车

BAS386-TR

型号:BAS386-TR

品牌:Vishay威世

描述:DIODE SCHOTT 50V 200MA MICROMELF

库存:0

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00