STGE200NB60S

制造商编号:
STGE200NB60S
制造商:
ST意法半导体
描述:
IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP
规格说明书:
STGE200NB60S说明书

库存 :0

货期: 8周-10周

封装: 管件

定价(含税)

阶梯 单价 总价
1 331.043801 331.04
10 305.305068 3053.05
100 283.168837 28316.88

规格参数

属性 参数值
制造商: ST(意法半导体)
系列: PowerMESH™
包装: 管件
零件状态: 在售
IGBT 类型: -
配置: 单路
电压 - 集射极击穿(最大值): 600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 200 A
功率 - 最大值: 600 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 1.6V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值): 500 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies): 1.56 nF @ 25 V
输入: 标准
NTC 热敏电阻:
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
供应商器件封装: ISOTOP
标准包装: 10

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STGE200NB60S

型号:STGE200NB60S

品牌:ST意法半导体

描述:IGBT MOD 600V 200A 600W ISOTOP

库存:0

单价:

1+: ¥331.043801
10+: ¥305.305068
100+: ¥283.168837

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